تفاصيل الوثيقة

نوع الوثيقة : مقال في مجلة دورية 
عنوان الوثيقة :
Simple and efficient Monte Carlo simulation of high-temperature hole transport in silicon and diamon
Simple and efficient Monte Carlo simulation of high-temperature hole transport in silicon and diamon
 
لغة الوثيقة : العربية 
المستخلص : The Monte Carlo method is used to simulate the hole transport in silicon and diamond. A simple model based on one nonparabolic band (the heavy hole band) without iteration has been used. The temperature dependence of the density-of-states effective mass (accounting for nonparabolicity) has been taken into account in calculating the scattering rates. Carrier dynamics have been calculated using the density-of-states effective mass at room temperature, which does not vary considerably from its value at high temperature. The resulting model gives reasonable accuracy above room temperature. (C) 2001 Elsevier Science Ltd. All rights reserved. 
اسم الدورية : MICROELECTRONICS JOURNAL 
المجلد : 32 
العدد : 4 
سنة النشر : 2001 هـ  
تاريخ الاضافة على الموقع : Tuesday, June 24, 2008 

الباحثون

اسم الباحث (عربي)اسم الباحث (انجليزي)نوع الباحثالمرتبة العلميةالبريد الالكتروني
Gamal SHGamal SHباحث  
طلال صدقة الحربيAl-Harbi TSباحث dr-tharbi@hotmail.com

تحميل الصفحة

الرجوع إلى صفحة الأبحاث